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  • 服務支持 > IC封裝流程

    1、磨片:-將晶圓廠出來的wafer進行背面研磨,來減薄晶圓達到封裝需要的厚度(8mils-10mils);

    -磨片時,需要在正面貼膠帶保護電路區域,同時研磨背面。研磨之后,去除膠帶,測量厚度。


    2、晶圓切割:-將晶圓粘貼在藍膜(Mylar)上,使得即使被切割開后,不會散落;

    -通過Saw Blade將整片Wafer切割成一個個獨立的Dice,方便后面的Die Attach等工序;
    -主要清洗Saw時候產生的各種粉塵,清潔Wafer;



    3、二光檢查:?主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行Wafer的外觀檢查,是否有出現廢品。


    4、芯片粘接(固晶機):

    ?芯片拾取過程:-Ejector Pin從wafer下方的Mylar頂起芯片,使之便于脫離藍膜;
    -Collect/Pick up head從上方吸起芯片,完成從Wafer?到L/F的運輸過程:
    -Collect以一定的力將芯片Bond在點有銀漿的L/F的Pad上,具體位置可控;


    5、引線焊接(焊線機):?利用高純度的金線(Au)、銅線(Cu)或鋁線(Al)把Pad和Lead通過焊接的方法連接起來。Pad是芯片上電路的外接點,Lead是Lead Frame上的連接點。W/B是封裝工藝中最為關鍵的一部工藝。

    Capillary:陶瓷劈刀。W/B工藝中最核心的一個Bonding Tool,內部為空心,中間穿上金線,并分別在芯片的Pad和Lead Frame的Lead上形成第一和第二焊點;
    EFO:打火桿。用于在形成第一焊點時的燒球。打火桿打火形成高溫,將外露于Capillary前端的金線高溫熔化成球形,以便在Pad上形成第一焊點(BondBall);
    Bond Ball:第一焊點。指金線在Cap的作用下,在Pad上形成的焊接點,一般為一個球形;
    Wedge:第二焊點。指金線在Cap的作用下,在Lead Frame上形成的焊接點,一般為月牙形(或者魚尾形);
    W/B四要素:壓力(Force)、超聲(USG Power)、時間(Time)、溫度(Temperature);


    6、三光檢查:?檢查Die Attach和Wire Bond之后有無各種廢品


    7、注塑:?為了防止外部環境的沖擊,利用EMC把Wire Bonding完成后的產品封裝起來的過程,并需要加熱硬化。

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    8、激光打字:?在產品(Package)的正面或者背面激光刻字。內容有:產品名稱,生產日期,生產批次等;


    9、模后固化:?用于Molding后塑封料的固化,保護IC內部結構,消除內部應力。


    10、電鍍:?利用金屬和化學的方法,在Leadframe的表面鍍上一層鍍層,以防止外界環境的影響(潮濕和熱)。并且使元器件在PCB板上容易焊接及提高導電性。


    11、切筋成型:?

    Trim:將一條片的Lead Frame切割成單獨的Unit(IC)的過程;
    Form:對Trim后的IC產品進行引腳成型,達到工藝需要求的形狀,并放置進Tube或者Tray盤中;

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